Магнитодиод — полупроводниковый прибор с p-n переходом и невыпрямляющими контактами, между которыми находится область высокоомного полупроводника. Действие прибора основано на магнитодиодном эффекте.

В «длинных» диодах (d/L > 1, где d — длина базы, L — эффективная длина диффузионного смещения) распределение носителей, а следовательно сопротивление диода (базы) определяется длиной L. Уменьшение L вызывает понижение концентрации неравновесных носителей в базе, то есть повышение её сопротивления. Это вызывает увеличение падения напряжения на базе и уменьшение на p-n переходе (при U=const). Уменьшение падения напряжения на p-n переходе вызывает снижение инжекционного тока и, следовательно, дальнейшее увеличение сопротивления базы.
Длину L можно изменять, воздействуя на диод магнитным полем. Оно приводит к закручиванию движущихся носителей, и их подвижность уменьшается, следовательно, уменьшается и L. Одновременно удлиняются линии тока, то есть эффективная толщина базы растёт. Это и есть магнитодиодный эффект.

Отечественной промышленностью выпускается несколько типов магнитодиодов. Их чувствительность лежит в пределах от 10⁻⁹ до 10⁻² А/м.
Существуют также магнитодиоды, способные определять не только напряжённость магнитного поля, но и его направление.